Pb(Zr,Ti)O₃-Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃(PZT-PZN)基陶瓷作为重要的压电材料, 在传感器和执行器等领域具有广泛应用, 优化其压电性能一直是研究热点。本研究旨在通过相界工程和畴工程调控与优化(1-x)[0.8Pb(Zr_0.5Ti_0.5)O₃- 0.2Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃]-xBi(Zn_0.5Ti_0.5)O₃((1-x)(0.8PZT-0.2PZN)-xBZT)陶瓷的压电性能, 利用不同手段详细表征陶瓷样品的晶相结构和微观形貌。结果显示, 所有样品均具有纯钙钛矿结构, 且加入BZT使晶粒尺寸逐渐增大。研究发现, 加入BZT使陶瓷样品从准同型相界(MPB)向四方相发生变化, 这种相变对于优化压电性能至关重要。通过调控BZT的含量, 精确控制相界位置, 可以优化压电性能。畴结构是影响压电性能的关键因素之一。通过畴工程手段, 优化晶粒尺寸和畴尺寸等, 显著提高了陶瓷样品的压电性能。具体而言, 当x=0.08时, 压电常数d₃₃(320 pC/N)和机电耦合系数k_p(0.44)达到最大。结合实验结果和理论分析, 探讨了相界工程和畴工程对压电性能的影响机制, 研究发现加入BZT不仅促进了晶粒生长, 还优化了畴结构, 使得极化反转过程更加容易进行, 从而提高了压电性能。这些研究成果不仅为高性能压电陶瓷的设计提供了新思路, 还为相关电子器件的研制奠定了理论基础。