... 2022年Ding等[55]设计了一款单晶AlN-FBAR滤波器, 如图9所示.通过在碳化硅衬底上外延生长单晶AlN薄膜, 然后将该薄膜转移到另一片碳化硅衬底, 获得了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$高达72%、最大Q值为837的FBAR, 基于该FBAR所制备的滤波器的中心频率为3.38 GHz, -3 dB带宽为160 MHz, 插入损耗为1.5 dB, 带外抑制大于31 dB.2023年Qin等[56]利用晶片键合与层转移技术制作了一款单晶AlN-FBAR, 其谐振频率为3.3 GHz, Q值为865, $k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为5.0%.这些研究显示了单晶AlN薄膜在提升FBAR及其滤波器性能方面的潜力. ...

... 2009年Akiyama等[57]实验证实了掺Sc可显著提升AlN薄膜的压电特性, 随后业界对AlScN薄膜愈发重视.Moreira等[58]是较早将AlScN薄膜应用到FBAR的研究者, 他们在2011年报道了当Sc掺杂量达到15%(原子分数)时, 所获FBAR的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$可达12.07%.Umeda等[59]则在2013年介绍了Sc掺杂量为35%(原子分数)的AlN-FBAR, 该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为15.5%.2017年Sano等[60]基于Al_0.61Sc_0.39N薄膜实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为18.5%的FBAR.2019年Park等[61]以外延生长的Mo作为底电极, 研究了基于Al_0.88Sc_0.12N与Mo堆叠结构的FBAR, 该器件是一款多频点器件, 模拟所得最高工作频率达18.99 GHz.2020年Moe等[62]通过对AlN薄膜掺杂28%(原子分数)的Sc而制备了一款FBAR.该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$最高可达16%, 其在3.5 GHz工作时Q值高达1070, FOM为158.同年Wang等[63]通过Al_0.7Sc_0.3N实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$达18.1%的FBAR器件.这些工作为FBAR滤波器领域的研究人员打开了思路, 例如Kim等[64]利用高掺杂AlScN薄膜开发了一款$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为13.2%、最大Q值可达1789的FBAR, 并基于此设计了一款在整个6 GHz频段性能表现良好的FBAR滤波器, 如图10所示. ...

... 2009年Akiyama等[57]实验证实了掺Sc可显著提升AlN薄膜的压电特性, 随后业界对AlScN薄膜愈发重视.Moreira等[58]是较早将AlScN薄膜应用到FBAR的研究者, 他们在2011年报道了当Sc掺杂量达到15%(原子分数)时, 所获FBAR的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$可达12.07%.Umeda等[59]则在2013年介绍了Sc掺杂量为35%(原子分数)的AlN-FBAR, 该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为15.5%.2017年Sano等[60]基于Al_0.61Sc_0.39N薄膜实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为18.5%的FBAR.2019年Park等[61]以外延生长的Mo作为底电极, 研究了基于Al_0.88Sc_0.12N与Mo堆叠结构的FBAR, 该器件是一款多频点器件, 模拟所得最高工作频率达18.99 GHz.2020年Moe等[62]通过对AlN薄膜掺杂28%(原子分数)的Sc而制备了一款FBAR.该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$最高可达16%, 其在3.5 GHz工作时Q值高达1070, FOM为158.同年Wang等[63]通过Al_0.7Sc_0.3N实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$达18.1%的FBAR器件.这些工作为FBAR滤波器领域的研究人员打开了思路, 例如Kim等[64]利用高掺杂AlScN薄膜开发了一款$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为13.2%、最大Q值可达1789的FBAR, 并基于此设计了一款在整个6 GHz频段性能表现良好的FBAR滤波器, 如图10所示. ...

... 2009年Akiyama等[57]实验证实了掺Sc可显著提升AlN薄膜的压电特性, 随后业界对AlScN薄膜愈发重视.Moreira等[58]是较早将AlScN薄膜应用到FBAR的研究者, 他们在2011年报道了当Sc掺杂量达到15%(原子分数)时, 所获FBAR的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$可达12.07%.Umeda等[59]则在2013年介绍了Sc掺杂量为35%(原子分数)的AlN-FBAR, 该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为15.5%.2017年Sano等[60]基于Al_0.61Sc_0.39N薄膜实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为18.5%的FBAR.2019年Park等[61]以外延生长的Mo作为底电极, 研究了基于Al_0.88Sc_0.12N与Mo堆叠结构的FBAR, 该器件是一款多频点器件, 模拟所得最高工作频率达18.99 GHz.2020年Moe等[62]通过对AlN薄膜掺杂28%(原子分数)的Sc而制备了一款FBAR.该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$最高可达16%, 其在3.5 GHz工作时Q值高达1070, FOM为158.同年Wang等[63]通过Al_0.7Sc_0.3N实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$达18.1%的FBAR器件.这些工作为FBAR滤波器领域的研究人员打开了思路, 例如Kim等[64]利用高掺杂AlScN薄膜开发了一款$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为13.2%、最大Q值可达1789的FBAR, 并基于此设计了一款在整个6 GHz频段性能表现良好的FBAR滤波器, 如图10所示. ...

... 2009年Akiyama等[57]实验证实了掺Sc可显著提升AlN薄膜的压电特性, 随后业界对AlScN薄膜愈发重视.Moreira等[58]是较早将AlScN薄膜应用到FBAR的研究者, 他们在2011年报道了当Sc掺杂量达到15%(原子分数)时, 所获FBAR的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$可达12.07%.Umeda等[59]则在2013年介绍了Sc掺杂量为35%(原子分数)的AlN-FBAR, 该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为15.5%.2017年Sano等[60]基于Al_0.61Sc_0.39N薄膜实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为18.5%的FBAR.2019年Park等[61]以外延生长的Mo作为底电极, 研究了基于Al_0.88Sc_0.12N与Mo堆叠结构的FBAR, 该器件是一款多频点器件, 模拟所得最高工作频率达18.99 GHz.2020年Moe等[62]通过对AlN薄膜掺杂28%(原子分数)的Sc而制备了一款FBAR.该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$最高可达16%, 其在3.5 GHz工作时Q值高达1070, FOM为158.同年Wang等[63]通过Al_0.7Sc_0.3N实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$达18.1%的FBAR器件.这些工作为FBAR滤波器领域的研究人员打开了思路, 例如Kim等[64]利用高掺杂AlScN薄膜开发了一款$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为13.2%、最大Q值可达1789的FBAR, 并基于此设计了一款在整个6 GHz频段性能表现良好的FBAR滤波器, 如图10所示. ...

... 2009年Akiyama等[57]实验证实了掺Sc可显著提升AlN薄膜的压电特性, 随后业界对AlScN薄膜愈发重视.Moreira等[58]是较早将AlScN薄膜应用到FBAR的研究者, 他们在2011年报道了当Sc掺杂量达到15%(原子分数)时, 所获FBAR的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$可达12.07%.Umeda等[59]则在2013年介绍了Sc掺杂量为35%(原子分数)的AlN-FBAR, 该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为15.5%.2017年Sano等[60]基于Al_0.61Sc_0.39N薄膜实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为18.5%的FBAR.2019年Park等[61]以外延生长的Mo作为底电极, 研究了基于Al_0.88Sc_0.12N与Mo堆叠结构的FBAR, 该器件是一款多频点器件, 模拟所得最高工作频率达18.99 GHz.2020年Moe等[62]通过对AlN薄膜掺杂28%(原子分数)的Sc而制备了一款FBAR.该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$最高可达16%, 其在3.5 GHz工作时Q值高达1070, FOM为158.同年Wang等[63]通过Al_0.7Sc_0.3N实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$达18.1%的FBAR器件.这些工作为FBAR滤波器领域的研究人员打开了思路, 例如Kim等[64]利用高掺杂AlScN薄膜开发了一款$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为13.2%、最大Q值可达1789的FBAR, 并基于此设计了一款在整个6 GHz频段性能表现良好的FBAR滤波器, 如图10所示. ...

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... 2009年Akiyama等[57]实验证实了掺Sc可显著提升AlN薄膜的压电特性, 随后业界对AlScN薄膜愈发重视.Moreira等[58]是较早将AlScN薄膜应用到FBAR的研究者, 他们在2011年报道了当Sc掺杂量达到15%(原子分数)时, 所获FBAR的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$可达12.07%.Umeda等[59]则在2013年介绍了Sc掺杂量为35%(原子分数)的AlN-FBAR, 该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为15.5%.2017年Sano等[60]基于Al_0.61Sc_0.39N薄膜实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为18.5%的FBAR.2019年Park等[61]以外延生长的Mo作为底电极, 研究了基于Al_0.88Sc_0.12N与Mo堆叠结构的FBAR, 该器件是一款多频点器件, 模拟所得最高工作频率达18.99 GHz.2020年Moe等[62]通过对AlN薄膜掺杂28%(原子分数)的Sc而制备了一款FBAR.该器件的$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$最高可达16%, 其在3.5 GHz工作时Q值高达1070, FOM为158.同年Wang等[63]通过Al_0.7Sc_0.3N实现了$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$达18.1%的FBAR器件.这些工作为FBAR滤波器领域的研究人员打开了思路, 例如Kim等[64]利用高掺杂AlScN薄膜开发了一款$k_{\text{eff}}^{\text{2}}$为13.2%、最大Q值可达1789的FBAR, 并基于此设计了一款在整个6 GHz频段性能表现良好的FBAR滤波器, 如图10所示. ...

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