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氧化物神经元器件及其神经网络应用
李宗晓, 胡令祥, 王敬蕊, 诸葛飞
无机材料学报    2024, 39 (4): 345-358.   DOI:10.15541/jim20230405
摘要   (734 HTML24 PDF(pc) (3104KB)(644)  

目前, 人工智能在人类社会发挥着越来越重要的作用, 以深度学习为代表的人工智能算法对硬件算力的要求也越来越高。然而随着摩尔定律逼近极限, 传统冯·诺依曼计算架构越来越难以满足硬件算力提升的迫切需求。受人脑启发的新型神经形态计算采用数据处理与存储一体架构, 有望为开发低能耗、高算力的新型人工智能技术提供重要的硬件基础。人工神经元和人工突触作为神经形态计算系统的核心组成部分, 是当前研究的前沿和热点。本文聚焦氧化物人工神经元, 从神经元数学模型出发, 重点介绍了基于氧化物电子器件的霍奇金-赫胥黎神经元、泄漏-累积-发射神经元和振荡神经元的最新研究进展, 系统分析了器件结构、工作机制对神经元功能模拟的影响规律。进一步, 根据不同尖峰发射动态行为, 阐述了基于氧化物神经元硬件的脉冲神经网络和振荡神经网络的研究进展。最后, 讨论了氧化物神经元在器件、阵列、神经网络等层面面临的挑战, 并展望了其在神经形态计算等领域的发展前景。


Type Device structure Physics Auxiliary
circuit
Operation stimulus Highest output frequency Energy consumption per spike Advanced function Ref.
HH Pt/VO2/Pt Mott 2S2R2C*
2S1R3C*
2S2R3C*
Current/
Voltage
<60 kHz 5.6 fJ 23 types of biological
neuronal behaviors
[32]
W/WO3/PEDOT:PSS/Pt Proton migration CMOS 2 V Local graded potential,
all or nothing
[34]
LIF Si:HfO2-based FeFET Polarization switching 6T* 2.4 V Integration of excitatory
and inhibitory inputs
[42]
Hf0.5Zr0.5O2-based FeFET Polarization switching 5T1C* 1.8 V Spike frequency adaptation [44]
Hf0.2Zr0.8O2-based FeFET Polarization switching 6T1R* 1.8 V 37 fJ Adjustable output frequency [43]
MTJ Spin 1T* 17 MHz 486 fJ Adjustable output frequency [51]
Pt/Ag/TiN/HfAlOx/Pt Filament 2R1C* 1.5 V 16 fJ Adjustable output frequency [111]
Ag/SiO2/SiO2.03/Pt Filament 2R1C* 0.1 V 2 fJ Adjustable output frequency [79]
Au/VO2/Au Mott 2R1C* 5 V 1 MHz 2.9 nJ Adjustable output frequency [112]
Si/NbO2/TiN Mott 1R* 2 V 900 kHz 38 pJ Self-protection [110]
Oscillation Pt/TaOx/Ta/Pt Filament 1R1C* 4-6V 250 MHz 300 μW Adjustable output frequency [105]
Ag/HfOx/Pt Filament 1R* 0.6 V ~80 kHz 1.8 µW Adjustable output frequency [113]
Pt/NbOx/Pt Mott 1R1C* 4 V 33 MHz Adjustable output frequency [94]
VO2 Mott 1R1C* 2.5 V 1 MHz 735 mW Coupling [114]
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表1 氧化物基HH、LIF和振荡神经元性能对比
正文中引用本图/表的段落
表1列举了代表性的HH神经元、LIF神经元和振荡神经元的性能, 从神经元电路复杂度、工作电压、最低能耗、高级功能实现等方面评估人工神经元。
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