紫外光辐照下钛硅共掺杂类金刚石薄膜微结构的演化
姜金龙1,2, 王琼1, 黄浩1, 张霞1, 王玉宝1, 耿庆芬2
1. 兰州理工大学 应用物理系, 兰州730050
2. 中国科学院 兰州化学物理研究所, 固体润滑国家重点实验室, 兰州 730000

作者简介: 姜金龙(1977-), 男, 博士, 副教授. E-mail:golden_dragon@126.com

摘要

采用中频磁控溅射Ti80Si20合金靶在单晶硅表面制备了钛硅共掺杂的类金刚石薄膜。利用紫外-可见光多波长Raman光谱表征薄膜微结构, 并结合FTIR光谱研究了紫外光辐照对类金刚石薄膜微结构的影响, 进一步讨论了紫外光辐照下薄膜微结构的演化机理。结果表明: 非晶结构的类金刚石薄膜出现反式聚乙炔和聚对苯乙炔类聚合物结构以及sp杂化的线型卡宾碳结构。紫外光辐照诱导薄膜微结构驰豫和重构, 薄膜Si-O和C-O键含量增加, C=C和C-H键含量减少; 同时薄膜sp2团簇尺寸减小而无序度增大。

关键词: 类金刚石薄膜; 紫外光辐照; 拉曼光谱; 红外光谱; 结构演化
中图分类号:TB303; O484   文献标志码:A    文章编号:1000-324X(2014)09-0941-06
Microstructure Evolution Induced by Ultraviolet Light Irradiation in Ti-Si Codoped Diamond-like Carbon films
JIANG Jin-Long1,2, WANG Qiong1, HUANG Hao1, ZHANG Xia1, WANG Yu-Bao1, GENG Qing-Fen2
1. Department of Applied Physics, Lanzhou University of Technology, Lanzhou 730050, China
2. State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China
Abstract

Titanium/silicon co-doped diamond-like carbon films were deposited on Si substrate by middle frequency magnetron sputtering using Ti80Si20 composite as target. The microstructure of the deposited films was characterized by ultraviolet and visible multi-wavelength Raman spectroscope. The influence of ultraviolet light irradiation on microstructure of the films was investigated by a combination of Raman and FTIR spectroscope. The mechanism of microstructural evolution of the films induced by ultraviolet light irradiation was discussed. The results show that the film dominated by amorphous structure displays inclusions of trans-polyacetylene, p-phenylene vinylene and sp hybridized carbine carbon chains. Ultraviolet light irradiation induces the relaxation and reconstruction of microstructure in the films, which leads to the increase of Si-O and C-O bonding, and the decrease of C=C and C-H bonding. Meanwhile, the size of sp2 clusters in the films decreases and the degree of disorder of sp2 clusters increases.

Keyword: diamond-like carbon film; ultraviolet light irradiation; Raman spectra; FTIR spectra; microstructural evolution

类金刚石薄膜是包含sp2、sp3杂化碳原子和H原子的一类非晶结构亚稳相碳材料, 它具有较高硬度、低摩擦系数、良好的耐磨性能以及高化学惰性,在刀具和机械零件表面作为涂层材料被广泛应用[ 1, 2]。类金刚石薄膜的化学结构, 如sp2和sp3碳原子比率、氢原子含量以及键合方式、sp2团簇尺寸和无序度等, 直接影响薄膜的物理化学特性。在真空和惰性气氛环境下, 含氢类金刚石(a-C:H) 薄膜表现出优异的摩擦学性能, 摩擦系数可以达到小于0.01超低值[ 3, 4], 有望作为下一代空间固体润滑材料应用于航空航天领域[ 5]。然而, 作为空间固体润滑材料, 含氢类金刚石(a-C:H) 薄膜必须经受高低温、原子氧和紫外辐照等苛刻环境的考验, 这要求它具有高稳定性和可靠性。迄今为止, 仅有少量研究报道了紫外光辐照对类金刚石碳、碳氮薄膜的影响[ 6, 7, 8]。因此, 研究类金刚石薄膜在紫外光辐照环境下的结构稳定性对于其工程应用尤为重要。

本课题组前期研究工作发现钛硅共掺杂类金刚石薄膜在大气环境下表现出超低的摩擦系数和优异的耐磨性能[ 9, 10]。为了进一步研究其在紫外光辐照下结构的稳定性, 本工作采用中频磁控溅射技术制备了钛硅共掺杂的含氢类金刚石薄膜, 利用Raman和FTIR光谱研究了紫外光辐照对钛硅共掺杂类金刚石薄膜微结构的影响, 讨论了薄膜微结构的演化机理。

1 实验方法

采用中频磁控溅射技术, 以Ti80Si20合金作为靶材, 以高纯Ar气为溅射气体, 高纯CH4气为碳源, 在单晶Si片表面沉积钛硅共掺杂类金刚石薄膜。沉积前, 先用无水乙醇和丙酮超声清洗Si片去除表面油污, 再用Ar气辉光放电产生的Ar离子清洗活化基体10 min。沉积室背底真空度为3.0×10-3Pa, Ar和CH4流量分别为120 sccm 和40 sccm, 中频电源频率为20 kHz, 功率为1050 W, 脉冲偏压为-100 V, 占空比为80%, 靶基距为10 cm。沉积过程样品固定, 沉积时间1 h, 基底不加热。

将制备的类金刚石薄膜在宏展Q8/UV3紫外光加速耐候试验箱中进行辐照试验。紫外灯辐照功率为160 W, 辐照时间分别为6 h和12 h, 辐照时环境温度约为50~75 ℃。采用JEM 2010 型高分辨透射电镜(HRTEM)表征薄膜结构, 加速电压为200 kV, 分辨率为0.19 nm。利用Jobin Yvon HR 800型显微Raman光谱仪表征薄膜微结构, 激发波长分别为325、488、532和633 nm, 光斑直径约为1 µm。利用Nicolet IS10傅立叶变换红外光谱仪检测薄膜红外光谱, 扫面范围500~4000 cm-1

2 结果与讨论
2.1 沉积薄膜的Raman分析

Raman 光谱的位置、强度、形状和半峰宽等可以反映碳材料化学和结构信息, 对Raman光谱进行拟合能够获得上述参数。通常, 对碳基薄膜Raman光谱分析有两种拟合方式: 全高斯拟合G和D峰; Breit-wigner-Fano线型拟合G峰和洛伦兹拟合D峰。 考虑到含氢类金刚石薄膜光致发光背景对耦合系数的影响, 采用Origin软件对Raman光谱进行全高斯峰形拟合。图1为从紫外到可见光区不同波长下薄膜的Raman光谱图。和单一波长相比, 多波长Raman光谱可以获得更为全面和可靠的结构信息。 一般认为, 类金刚石薄膜可见光Raman光谱由位于约1360 cm-1的D峰和1560 cm-1的G峰组成[ 11]。然而, 从图1不同激发波长的Raman光谱可以看出, 在1060和1200 cm-1附近存在明显的振动。为了得到满意的拟合结果, 本研究中Raman光谱在900~ 2000 cm-1区间被分解为5个子峰, 分别被标记为T (T1)、P、 D、T2和 G峰。

Raman光谱中G 峰和D峰都是由sp2 C=C键振动引起的, 其中G 峰源于芳香环或链上的sp2 C=C键的伸缩振动, 而D 峰归因于所有环上sp2碳原子的呼吸振动。在波长为325 nm紫外Raman光谱中位于约1030 cm-1处弱的T峰是由sp3 C-C 键振动引起的[ 12]。由于T峰仅能被较高能量的紫外光激发, 因此488~633 nm可见光Raman光谱位于1060 cm-1的T1峰应该来源sp2 C=C键的振动。最近, Rybachuk等[ 13]将T1峰和位于约1480的T2峰归于a-C:H 膜中的反式聚乙炔(transpolyacetylene)碎片在Ag区域中心振动。Ferrari等[ 14]认为虽然薄膜中聚乙炔残片较少, 但其对可见光具有非常大的散射截面。然而, 王成兵等[ 15]也将T1 和T2峰归于类石墨a-C:H 薄膜中的纳米洋葱或类富勒烯结构。为了证实薄膜存在类富勒烯结构, 对薄膜进行了HRTEM表征, 结果如图2所示。从图2可以看出, 薄膜中不存在纳米晶或弯曲的石墨面。另外, 根据文献[13,16], 位于1200 cm-1附近的P峰被归属于聚对苯乙炔(p-phenylene vinylene, PPV)环上CC-H的弯曲振动模式。

图3给出了不同激发波长下薄膜Raman光谱中G、D、T2 和P各个子峰位置随入射波长(光子能量) 的变化。从图3 (a) 可以看出, 和文献[17]报道结果一致, 多波长Raman光谱G峰的位置随入射波长增加线性减小。图3(b)中其它的振动峰的位置均随激发波长的增加向低波数移动, 这一结果遵守声子限制效应。从薄膜生长条件和机理角度考虑, 本实验薄膜沉积过程是以CH4气体为碳源, CH4气体在等离子体中被离化分解成各种中性基团(CH、CH2 、CH3)和离子基团子基团(CH4+、CH3+、C2H5+和H+),这些含碳基团容易在生长过程中扩散聚集而在非晶碳基体中形成反式聚乙炔和聚对苯乙炔等类聚合物分子。潘金平等[ 18]在B掺杂的纳米金刚石薄膜中也发现反式聚乙炔结构, 并认为反式聚乙炔与H原子的扩散和解吸附有关, 随退火温度的变化而变化。

图1 不同激发波长下薄膜的Raman光谱Fig. 1 Raman spectra of the film at different excitation wavelengths

图2 薄膜的HRTEM照片Fig. 2 HRTEM image of the film

图4为激发波长532 nm可见光Raman光谱在低波数区间的共振峰。虽然含氢薄膜的Raman光谱受较强的光致发光背景的影响, 但是从图4仍然可以清楚看出, 从低波数起依次在450、520、690和865 cm-1附近存在4个弱峰. Casari等[ 19]通过实验和模拟证实450 cm-1处的峰来源于类聚炔(卡宾)结构 (polyyne-like) sp杂化 (-C≡C-) n键的弯曲振动。Arenal[ 20]和Kataria[ 21]等在a-C:H薄膜的 Raman光谱中也观察到了位于690 cm-1和870 cm-1的振动峰。研究表明, 这两个振峰源于纳米石墨有缺陷的sp2芳香环, 对于一阶Raman散射是非活性的, 由于sp2团簇尺寸减小导致声子选择规则破坏而具有了Raman 活性。因此, 这两个峰的出现也被看作是薄膜中存在大量芳香环的依据。此外, 位于520 cm-1吸收峰来源于Si基底。

图3 薄膜Raman光谱拟合峰的位置随激光波长的变化Fig. 3 Fitting Raman peak position of the film as a function of excitation wavelength(a) G peak; (b) T2, D and P peaks

图4 薄膜在低波数区间的Raman光谱Fig. 4 Raman spectrum of the film in the low wavenumber range

2.2 辐照薄膜的Raman分析

图5所示为紫外光辐照6 h和12 h后薄膜的可见光Raman光谱。表1给出了辐照前后Raman光谱拟合后子峰的参数, 例如G峰的位置、半高宽度[FWHM(G)]、D峰和G峰的强度比[ I(D)/ I(G)]等数据。可以看出, G峰位置向低波数方向移动, 这表明紫外光辐照后薄膜sp3含量增加[ 22]。Ferrari 和Robertson 认为 , 即D峰和G峰强度比反映了石墨团簇尺寸大小[ 23]。由此可以推断, 紫外光辐照6 h后, 薄膜非晶碳sp2团簇大小几乎没有变化; 而辐照12 h后, 薄膜非晶碳sp2团簇减小。由于G峰位置随激发波长增加线性变化, 因此定义G峰漂移率

FWHM(G) 反映了键长和键角扭曲的结构无序度, 而 反映了sp2团簇的尺寸和形状分布的拓扑无序度。显然, 随着紫外光辐照时间增加, 薄膜结构无序度持续增加; 辐照6 h, 拓扑无序度不再变化。另外, 可以看出, 在紫外光辐照后T1、T2和P峰位置向高波数方向移动, 这可能是由于薄膜中反式聚乙炔和聚对苯乙炔结构在紫外光作用下C=C、C-C键断裂, 或者和薄膜中的活性原子、基团以及空气中氧原子发生化学反应引起的。研究表明, 随着聚乙炔结构链长减小, Raman光谱峰向高波数方向移动[ 24]

图5 紫外光辐照(a) 6 h和(b) 12 h后薄膜Raman光谱Fig. 5 Raman spectra of the film after ultraviolet light irradiation for (a) 6 h and (b) 12 h

表1 紫外光辐照前后薄膜Raman光谱拟合结果 Table 1 Fitting results of Raman spectra of the film before and after ultraviolet light irradiation
2.3 薄膜的FTIR分析

图6给出了紫外光辐照前后薄膜FTIR光谱, 可以看出, 紫外光辐照6 h后薄膜FTIR光谱吸收峰有显著变化; 而继续辐照至12 h, 则未发现明显变化。 图6(a)中位于810和1100 cm-1吸收峰来源于Si-O-Si 和Si-O-C中Si-O键振动, 而位于约1263 cm-1 位置的吸收峰归属于C-O键振动[ 25]。根据文献[26], 位于高波数约1445 cm-1位置的吸收峰来源于C-H键弯曲振动, 而位于1500~1600 cm-1 和1620~1680 cm-1宽的吸收峰则分别归属于芳香环和烯烃链上的C=C双键振动。可以看出, 在紫外光辐照作用下, Si-O和C-O-C振动吸收峰增强, 与此同时C-H和C=C振动吸收峰减弱。这表明紫外光辐照可能使类金刚石薄膜中Si-C、C≡C、C=C、C-C和C-H键断裂, 然后和表面扩散的氧原子在光诱导作用下发生反应形成Si-O和C-O键, 同时产生的H2、CO2和CH4等气体分子从薄膜中逸出。因此, 薄膜中C=C和C-H键吸收峰减弱, 而Si-O和C-O吸收峰增强。

图6(b)给出了FTIR光谱上位于2700~3400 cm-1区间C-H吸收峰的放大图。其中, 位于2700~2995 cm-1的吸收峰来源于sp3C-H x ( x=1、2、3)振动, 而位于3000~3125 cm-1吸收峰对应于sp2 C-H振动。另外, 位于3300 cm-1位置的弱吸收峰则归属于sp C-H振动, 这个振动可能来源于薄膜中氢终止的卡宾碳结构端点(≡C-H, =C=C-H)。FTIR和Raman光谱结果一致表明薄膜中不仅有sp3 C和sp2 C, 而且包含链式sp C结构。从图6(b)可以看出, 薄膜中H原子主要以sp3 C-H形式和C原子优先成键。另外, 从薄膜FTIR光谱可以看出, 紫外光辐照6 h, 薄膜中C-H相对含量明显降低, 这和紫外光辐照含氢碳氮薄膜研究结果一致[ 6, 8]。薄膜辐照前后FTIR光谱变化一方面说明紫外光会诱导薄膜C-H键断裂, H原子可能以原子态形式存在薄膜中, 也可能以H2分子逸出薄膜表面。另外一方面, 失去H原子的C悬键可能相互结合形成sp2 C=C或sp3 C-C键。即, 紫外光诱导非晶碳网络弛豫和重构, 表现为薄膜结构和拓扑无序度增加。

图6 薄膜FTIR光谱(a)和2700~3400 cm-1区间放大的光谱(b)Fig. 6 FTIR spectra (a) and magnified high wavenumber region from 2700 to 3400 cm-1 in the FTIR spectra (b) of the film

根据上述Raman和FTIR结果, 可以认为紫外光辐照下类金刚石薄膜微结构变化主要包括两个过程: 在紫外光辐照初期, 由于薄膜中类聚合物结构稳定性差而最先发生化学键的断裂和重构, 非晶碳相较为稳定而仅产生键角和键长的扭曲和变形, 因此非晶碳相sp2团簇大小不变, 结构和拓扑无序度同时增加。随着紫外光辐照时间增加, 薄膜中C-H含量变化不大, 这说明脱氢过程完成。此时, 薄膜结构变化主要受以sp2团簇为主要成份的非晶碳相的影响。薄膜sp2团簇中 C-H、C=C键的断裂和重构, 导致其尺寸减小, 结构无序度增加。

3 结论

1) 紫外-可见多波长Raman光谱结果显示制备的钛硅共掺杂类金刚石薄膜中存在反式聚乙炔和聚对苯乙炔结构的聚合物, 结合FTIR光谱证实了存在线型sp杂化的卡宾碳结构。

2) 在紫外光辐照作用下薄膜碳键断裂, 并和薄膜中活性原子或基团以及空气中氧原子发生氧化反应, 导致Si-O和C-O键振动增强, C=C和C-H键振动减弱。

3) 紫外光辐照诱导薄膜非晶碳网络弛豫和重构。紫外光辐照6 h, 非晶碳sp2团簇大小不变, 结构和拓扑无序度增加; 紫外光辐照12 h, 非晶碳sp2团簇减小, 结构无序度增加而拓扑无序度不变。

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