新型GaN与ZnO衬底ScAlMgO4晶体的研究进展
张超逸1(
), 唐慧丽1(), 李宪珂1, 王庆国1, 罗平1, 吴锋1, 张晨波1, 薛艳艳1, 徐军1(), 韩建峰2, 逯占文2
), 唐慧丽1(), 李宪珂1, 王庆国1, 罗平1, 吴锋1, 张晨波1, 薛艳艳1, 徐军1(), 韩建峰2, 逯占文2
Research Progress of ScAlMgO4 Crystal: a Novel GaN and ZnO Substrate
ZHANG Chaoyi1(), TANG Huili1(), LI Xianke1, WANG Qingguo1, LUO Ping1, WU Feng1, ZHANG Chenbo1, XUE Yanyan1, XU Jun1(), HAN Jianfeng2, LU Zhanwen2
), TANG Huili1(), LI Xianke1, WANG Qingguo1, LUO Ping1, WU Feng1, ZHANG Chenbo1, XUE Yanyan1, XU Jun1(), HAN Jianfeng2, LU Zhanwen2
图12. 不同激光重复频率在SCAM衬底上生长~300 nm GaN外延薄膜的AFM图像[
Fig. 12. AFM images of the ~300 nm-thick GaN epitaxial films grown on SCAM substrates with different laser repetition rates[
(a) 10 Hz; (b) 20 Hz; (c) 30 Hz; (d) 40 Hz
