KH-560改性SiO2绝缘薄膜的制备及性能研究
杨丛纲1,2(
), 米乐2, 冯爱虎2, 于洋2, 孙大志1(), 于云2()
), 米乐2, 冯爱虎2, 于洋2, 孙大志1(), 于云2()
Synthesis and Performance of KH-560 Modified SiO2 Insulation Coating
YANG Conggang1,2(), MI Le2, FENG Aihu2, YU Yang2, SUN Dazhi1(), YU Yun2()
), MI Le2, FENG Aihu2, YU Yang2, SUN Dazhi1(), YU Yun2()
Fig. 3. SEM images of (a) SiO2-0.01 KH, (b) SiO2-0.02 KH, (c) SiO2-0.03 KH, and (d) SiO2-0.04 KH
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