AlN: Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变
阳明明1,2, 莫亚娟3, 王晓丹3, 曾雄辉1, 刘雪华1, 黄俊1, 张纪才1, 王建峰1, 徐科1

Stress Induced Microstructure Evolution of AlN: Er Film at Different Annealing Temperature
YANG Ming-Ming1,2, MO Ya-Juan3, WANG Xiao-Dan3, ZENG Xiong-Hui1, LIU Xue-Hua1, HUANG Jun1, ZHANG Ji-Cai1, WANG Jian-Feng1, XU Ke1
(a)注入剂量为1×1015 at/cm2的样品在1100℃退火前后的HRXRD图谱; (b)不同的注入剂量以及退火温度下的AlN(0002)晶面峰位以及A1的变化, RA代表快速退火