AlN: Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变

阳明明^1,², 莫亚娟³, 王晓丹³, 曾雄辉¹, 刘雪华¹, 黄俊¹, 张纪才¹, 王建峰¹, 徐科¹

Stress Induced Microstructure Evolution of AlN: Er Film at Different Annealing Temperature

YANG Ming-Ming^1,², MO Ya-Juan³, WANG Xiao-Dan³, ZENG Xiong-Hui¹, LIU Xue-Hua¹, HUANG Jun¹, ZHANG Ji-Cai¹, WANG Jian-Feng¹, XU Ke¹

注入剂量为1×10¹⁵ at/cm²样品经不同温度退火后的Raman谱(a)和注入剂量为1×10¹⁵ at/cm²样品经不同退火温度后的E₂^high峰位(b)