张东升(1974-), 男, 博士, 讲师. E-mail:zds@mail.xjtu.edu.cn
用常压烧结法制备K0.5Na0.5NbO3陶瓷。研究烧结温度与陶瓷密度和电学性能的关系。研究表明在1065 ℃~1120 ℃范围内, 温度对陶瓷的密度有显著影响。当烧结温度为1100 ℃时, 密度达到4.35 g/cm3 (占理论密度的95%); 1100 ℃烧结的陶瓷表现出最好的电学性能, 压电常数最大118 pC/N, 相对介电常数最大达538, 介电损耗最小仅4.7%, 剩余极化强度为15.37 μC/cm2, 矫顽场为13.16 kV/cm。陶瓷样品在206 ℃从正交结构转变到四方结构, 居里温度为410 ℃。
Lead-free piezoceramics K0.5Na0.5NbO3 were prepared by pressureless sintering. The effects of sintering temperature on the density and electrical properties of KNN ceramics were investigated. The results show that the density of the KNN ceramics changes dramatically in a narrow temperature range of 1065-1120 ℃. The density of the ceramic sintered at 1100 ℃ reaches 4.35 g/cm3 (95% of the theoretical density). The ceramic sintered at 1100 ℃ shows the best electrical properties: the maximum piezoelectric coefficient of about 118 pC/N, the maximum relative dielectric constant of 538, the minimum dielectric loss of 4.70%, the remanent polarization of 15.37 μC/cm2 and the coercive electric field of 13.16 kV/cm. The phase transformation temperature from orthorhombic to tetragonal is about 206 ℃, and the Curie temperature is 410 ℃.
随着信息技术的发展, 压电陶瓷作为该领域内的一类关键性材料, 被人们广泛深入地研究, 其中PZT基压电陶瓷以其优越的压电性能一直在工业生产及生活中占着主导地位。然而, 铅基材料中有害物质氧化铅(或四氧化三铅)占总质量的70%以上, 造成了严重的环境污染。因此, 开发无铅压电材料是一项紧迫且有重大意义的研究课题[ 1, 2]。Na0.5K0.5NbO3 (KNN) 压电陶瓷属于钙钛矿型结构[ 3, 4, 5, 6], 具有居里温度高( Tc=420 ℃)、介电性能适中等特性, 但该体系陶瓷的密度不高。有人用等离子体烧结法[ 7, 8]或热压烧结法[ 3]获得了较为致密的陶瓷, 但这些方法成本高, 制备工艺复杂, 不利于KNN陶瓷制备工艺的工业化。实验证明, 通过传统的电子陶瓷生产工艺制备陶瓷是最有效且成本最低的方法。但由于该体系制备的陶瓷对温度、湿度特别敏感, 所以采用传统生产工艺制备的陶瓷往往不具有优良的电学性能[ 9]。本工作通过对常压烧结工艺进行详细研究和严格控制, 并采用多次球磨方法, 将样品密封在坩埚中埋烧等手段, 得到了密度较高的KNN陶瓷样品, 并对陶瓷样品的相结构及电学性能进行深入研究和讨论。
实验用原料为Nb2O5 99.5wt%、Na2CO3 (99.8wt%)、K2CO3 (99wt%)。将各原料放入烘箱中150 ℃烘24 h, 充分除去水分后取出迅速放入干燥器内冷却至室温。各原料按化学式K0.5Na0.5NbO3进行配料, 装入研磨罐中, 研磨介质为φ 2 mm 氧化锆球, 无水乙醇作为介质, 用行星式球磨机粉磨4 h, 转速为300 r/min。球磨后的料浆放入通风良好的烘干箱中烘干, 用φ 45 mm 的金属模具压成大块体后进行预烧, 预烧后的铌酸盐料粉, 再次进行球磨, 球磨后的料浆放入烘干箱中烘干, 用φ 10 mm 的金属模在13 MPa 压力下压制成型, 然后分别在1065 ℃、1070 ℃、1075 ℃、1080 ℃、1090 ℃、1100 ℃、1120 ℃下烧结2 h。将烧结后的陶瓷圆片磨平, 上下表面均匀涂覆银浆, 烘干后放入电炉中烘烤。在硅油中极化陶瓷圆片, 极化场强3 kV/mm, 极化温度120 ℃, 极化时间20 min。用X射线衍射 (X-ray diffraction, XRD, Rigaku RAD-B system, Japan) 仪测试样品结构, 用扫描电子显微镜(SEM, JEOL, JSM-7 000F)测试样品形貌, 用准静态测量仪(ZJ-3A)测量样品压电常数 d33, 用阿基米德排水法测量陶瓷的体密度。
为了确定最佳的预烧温度, 在制定预烧曲线时既参考文献[ 10], 还在不同温度下进行了预烧实验。由于KNN的原始粉料对温度特别敏感, 在相差只有5 ℃的烧结环境下, KNN陶瓷的结构和性能会有较大的不同[ 11]。本实验在相差10 ℃的预烧温度下进行预烧。图1为原始粉料分别在825 ℃、835 ℃、850 ℃、870 ℃、890 ℃和900 ℃预烧温度下保温2 h产物的XRD图谱, 可以看出, 在较低温度(825 ℃、835 ℃)和较高温度(890℃)下预烧的粉料均有第二相峰出现, 对应的物相为K5.75Nb10.85O30(PDF 38-0 297)。较低温度下出现第二相的原因与K2CO3的分解温度低于Na2CO3的分解温度[ 12], K2CO3先分解后与Nb2O5生成铌酸钾化合物有关。而高温下出现第二相与钠的挥发有关[ 13]。在850℃、870℃以及900 ℃预烧的粉料均显示单一的钙钛矿结构。因此, KNN的预烧温度设定在850 ℃较为合适。
图2为不同温度烧结后KNN陶瓷的XRD图谱。由图2(a)可以看出, 在1080 ℃烧结的KNN陶瓷存在第二相, 对应的物相为K5.75Nb10.85O30。1100 ℃及其以上温度烧结的样品均形成了单一的钙钛矿结构。由图2(b)可知, 2 θ=45.5°附近的峰随着烧结温度的升高逐渐向低角度偏移, 说明KNN的晶格常数随着烧结温度的升高而逐渐增大。这可能是由于在高温下烧结的样品, 由于K和Na的挥发使得成份逐渐偏离原始成份, 为了保持电中性, 晶胞中A位离子的缺少也会造成氧的缺少, 这使得晶胞中阴离子和阳离子之间的库仑力降低, 晶格常数增大[ 14]。
图3是不同温度下烧结样品的SEM照片,由图可以看出, 1070 ℃烧结的样品, 颗粒大小相差较大, 约在500 nm至2 μm之间变化, 呈方块状态; 1080 ℃烧结的样品很不致密, 存在很多的孔洞, 这与此温度下样品中形成第二相有关; 1100 ℃烧结的样品比较致密, 颗粒大小也较为均匀, 约在500 nm左右, 呈现方块状; 1120 ℃烧结的样品出现长条状, 这与K、Na的挥发有关, 因为A位K或者Na的挥发会导致晶粒的长大[ 15, 16]。
![]() | 图3 不同温度烧结得到的KNN的SEM照片Fig. 3 SEM images of KNN ceramics sintered at different temperatures(a) 1070 ℃; (b) 1080 ℃; (c) 1100 ℃; (d) 1120 ℃ |
图4是不同温度烧结的KNN陶瓷的线收缩率和压电常数 d33。当烧结温度低于1075 ℃时, 压电陶瓷的线收缩率随烧结温度的升高明显增大, 但在1080 ℃又突然下降, 这与SEM形貌看到的现象一致, 即在1080 ℃下的陶瓷样品很不致密, 导致其致密性下降的原因与生成较多的第二相有密切的关系。1100 ℃时收缩率达到最大值13.6%。当烧结温度为1120 ℃时, 因为A位离子的挥发, KNN陶瓷的收缩率又有所下降。样品的 d33与收缩率呈现相同的变化趋势, 烧结温度为1100 ℃时达到最大值118 pC/N, 高于文献[9]所报导的90 pC/N和文献[17]的110 pC/N。温度过高, 致密度下降, 从而导致样品的 d33下降, 1120 ℃时仅为96 pC/N, 见表1。
![]() | 图4 不同温度烧结的KNN陶瓷的线收缩率和压电系数 d33Fig. 4 Shrinkage and piezoelectric coefficient of KNN ceramics sintered at different temperatures |
![]() | 表1 K0.5Na0.5NbO3陶瓷性能 Tabel 1 Properties of KNN ceramics |
图5是1100 ℃烧结的陶瓷的铁电性能, 由图可以看出, KNN呈现出饱和且矩形度较好的 P-E回线形状, 表明在该温度下烧结的样品有很好的铁电性能, 陶瓷的剩余极化强度 Pr达到15.37 μC/cm2, 矫顽场 Ec为13.16 kV/cm, 该值可与文献[18]中的 Pr(15.4 μC/cm2)和 Ec(11.5 kV/cm)相比拟。与文献[17]中的 Pr(20 μC/cm2)相比, 虽然剩余极化强度 Pr小一些, 但回线的形状要比该文献中的好很多, 且没有出现该文献中出现的收聚现象, 所以本实验的样品中缺陷偶极子会少一些。
图6为陶瓷的介电性能随温度的变化曲线。由图可以看出, 1100 ℃烧结的KNN陶瓷的介电性能随温度在不同频率下的介电峰位没有发生变化, 样品在较低温度206 ℃发生了正交到四方的铁电相变, 在较高温度410 ℃发生了四方铁电相到立方顺电相的转变。
表1列出了不同烧结温度KNN陶瓷的其它性能, 由表可以看出, 1100 ℃样品表现出较好的介电性能, 这与在这个温度下烧结样品的晶粒较小(均在500 nm左右), 且颗粒排列非常致密有关, 在1 kHz下相对介电常数为538, 介电损耗为4.7%, 相对密度为94.75%。
用常压烧结法在1065 ~1120 ℃温度范围成功制备出K0.5Na0.5NbO3无铅压电陶瓷, 其结构为正交相的钙钛矿结构。1100 ℃烧结的样品较致密, 压电常数 d33 最大118 pC/N, 相对介电常数最大538, 介电损耗最小4.7%, 剩余极化强度 Pr达到15.37 μC/cm2, 矫顽场 Ec为13.16 kV/cm, 居里温度为410 ℃。
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